ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ

Πληροφορίες Μαθήματος
ΤίτλοςΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ / TECHNOLOGY OF SEMICONDUCTOR DEVICES
ΚωδικόςΜΗΦ745
ΣχολήΘετικών Επιστημών
ΤμήμαΦυσικής
Κύκλος / Επίπεδο2ος / Μεταπτυχιακό
Περίοδος ΔιδασκαλίαςΧειμερινή
Υπεύθυνος/ηΧαράλαμπος Δημητριάδης
Γνωστικό ΑντικείμενοΜΕΤΑΠΤΥΧΙΑΚΟ ΠΡΟΓΡΑΜΜΑ
Χαρακτηρισμός ΜαθήματοςΜαθήματα Τμήματος
ΚοινόΌχι
ΚατάστασηΕνεργό
Course ID40002817

Πρόγραμμα Σπουδών: ΠΜΣ Ηλεκτρονικής Φυσικής (Ραδιοηλεκτρολογίας) (2016-2018)

Εγγεγραμμένοι φοιτητές: 11
ΚατεύθυνσηΤύπος ΠαρακολούθησηςΕξάμηνοΈτοςECTS
Ηλεκτρονική Τεχνολογία ΚυκλωμάτωνΥποχρεωτικό Κατεύθυνσης114

Πληροφορίες Τάξης
ΤίτλοςΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ
Ακαδημαϊκό Έτος2017 – 2018
Περίοδος ΤάξηςΧειμερινή
Διδάσκοντες μέλη ΔΕΠ
Ώρες Εβδομαδιαία2
Class ID
600112056
Τύπος Μαθήματος
  • Επιστημονικής Περιοχής
Κατηγορία Μαθήματος
Ειδικού Υποβάθρου / Κορμού
Τρόπος Παράδοσης
  • Πρόσωπο με πρόσωπο
Ηλεκτρονική Διάθεση Μαθήματος
Γλώσσα Διδασκαλίας
  • Ελληνικά (Διδασκαλία, Εξέταση)
Μαθησιακά Αποτελέσματα
Βασικό υπόβαθρο απαραίτητο για περαιτέρω σπουδές εξειδίκευσης στην τεχνολογία μικρο-νανο-ηλεκτρονικής (διδακτορική διατριβή).
Γενικές Ικανότητες
  • Εφαρμογή της γνώσης στην πράξη
  • Αναζήτηση, ανάλυση και σύνθεση δεδομένων και πληροφοριών, με τη χρήση και των απαραίτητων τεχνολογιών
  • Προσαρμογή σε νέες καταστάσεις
  • Λήψη αποφάσεων
  • Αυτόνομη εργασία
  • Ομαδική εργασία
  • Εργασία σε διεθνές περιβάλλον
  • Εργασία σε διεπιστημονικό περιβάλλον
  • Παραγωγή νέων ερευνητικών ιδεών
  • Άσκηση κριτικής και αυτοκριτικής
  • Προαγωγή της ελεύθερης, δημιουργικής και επαγωγικής σκέψης
Περιεχόμενο Μαθήματος
p-n επαφή: Βασική τεχνολογία ημιαγωγικών διατάξεων, σχέση δομής ενεργειακών ζωνών και ηλεκτροστατικών μεγεθών, περιοχή φορτίων χώρου σε θερμική ισορροπία και εξωτερική πόλωση, χωρητικότητα επαφής, I-V χαρακτηριστικές με ορθή και ανάστροφη πόλωση. Τρανζίστορ MOS: Περιοχές φορτίων χώρου διατάξεων MOS, πυκνωτής MOS, τάση κατωφλίου, στατικές χαρακτηριστικές, αγωγιμότητα-διαγωγιμότητα, ισοδύναμο κύκλωμα, συχνότητα αποκοπής, φαινόμενο τάσης υποστρώματος, κατασκευή διάταξης MOS. Υπομικρονικό τρανζίστορ MOS: Πειραματικές χαρακτηριστικές εισόδου-εξόδου, δευτερογενή φαινόμενα (διαμόρφωση του μήκους καναλιού, μείωση του φράγματος δυναμικού επαγώμενο από την τάση απαγωγού, επίδραση της γεωμετρίας στη τάση κατωφλίου), επίδραση του κάθετου ηλεκτρικού πεδίου στην ευκινησία, ταχύτητα κόρου, φαινόμενα θερμών φορέων, διάτρηση με "επιστροφή τάσης", τρανζίστορ LDD. CMOS τεχνολογία: τρανζίστορ n- και p-τύπoυ φρέατος, φαινόμενο αναστολής λειτουργίας (παρασιτικό διπολικό τρανζίστορ). Πειραματικός προσδιορισμός των παραμέτρων MOSFET: Μεθοδολογία, πειραματική εφαρμογή. Μοντέλο FET για SPICE.
Λέξεις Κλειδιά
p-n επαφή, τρανσίστορ MOSFET, δευτερογενή φαινόμενα, CMOS, εξαγωγή παραμέτρων, μοντέλα SPICE
Τύποι Εκπαιδευτικού Υλικού
  • Σημειώσεις
  • Διαφάνειες
Οργάνωση Μαθήματος
ΔραστηριότητεςΦόρτος ΕργασίαςECTSΑτομικάΟμαδικάErasmus
Διαλέξεις261,0
Συγγραφή εργασίας / εργασιών
Σύνολο261,0
Αξιολόγηση Φοιτητών
Περιγραφή
Γραπτές εξετάσεις
Μέθοδοι Αξιολόγησης Φοιτητών
  • Γραπτή Εξέταση με Ερωτήσεις Εκτεταμένης Απάντησης (Συμπερασματική)
  • Γραπτή Εργασία (Συμπερασματική)
  • Γραπτή Εξέταση με Επίλυση Προβλημάτων (Συμπερασματική)
Τελευταία Επικαιροποίηση
18-09-2013