Είστε εδώ

Βιογραφικό Σημείωμα

Ανάπτυξη | Σύμπτυξη

Αλκυόνη Μάντζαρη

Εργαστηριακό Διδακτικό Προσωπικό, Τμήμα Φυσικής

Προσωπικά Στοιχεία

- 2310998089
am@auth.gr
Scopus ID22635195400

Διδακτικό Έργο

Μαθήματα Χειμερινού εξαμήνου ακαδημαϊκού έτους 2022–23

	ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ
ΗΥΥ501	ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΕΦΑΡΜΟΣΜΕΝΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ
ΗΥΥ6501	ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΕΦΑΡΜΟΣΜΕΝΗΣ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΚΗΣ

Μαθήματα Εαρινού εξαμήνου ακαδημαϊκού έτους 2022–23

	ΤΜΗΜΑ ΦΥΣΙΚΗΣ
ΣΥΥ501	ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΔΟΜΗΣ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ

Επίβλεψη Εργασιών

Εργασίες Φοιτητών εντός ΑΠΘ

Δεν βρέθηκαν αποτελέσματα.

Ερευνητικά Έργα

Συμμετοχή
2011–2015	Εκπαιδευτικό δίκτυο για τις λειτουργικές διεπιφάνειες στο ανθρακοπυρίτιο
2007–2010	Σύνθεση και προώθηση ενός διεπιστημονικού δικτύου πανεπιστημίων και βιομηχανίας μέσω της ετερογενούς ανάπτυξης, χαρακτηρισμών και εφαρμογών του 3C-SIC πάνω σε ελαγωνικό υπόβαθρο
2006–2008	Μελέτη του μηχανισμού ελάττωσης των σφαλμάτων δομής το κυβικού Sic (3C-Sic) κατά την κρυσταλλική ανάπτυξη (3C-Sic)
2002–2005	Ανάπτυξη 3C-Sic φιλμ υποστηριζόμενη από λυχνία αναλαμπών (FLASiC)
2001–2005	Κυβικό SiC για νέες ημιαγωγικές διατάξεις (SOLSIC)
1998–1999	Φυσική Υλικών
–2000	Φυσική Υλικών

Δημοσιεύσεις

(2012)

Άρθρο σε Περιοδικό

Mantzari Alkyoni, Andreadou Ariadni, Marinova M, Polychroniadis Efstathios (2012). Some recent results on the 3C-SiC structural defects. Acta Physica Polonica A. τόμ.121 αρ.1 σ.187-189.
Marinova M, Mantzari Alkyoni, Andreadou Ariadni, Polychroniadis Efstathios (2012). On the polytypic transformations in SiC. Journal of Nano Research. τόμ.18-19 σ.89-96.
Sun J. W, Robert T, Andreadou Ariadni, Mantzari Alkyoni, Jokubavicius V, Yakimova R, Camassel J, Juillaguet S, Polychroniadis Efstathios, Syväjärvi M (2012). Shockley-Frank stacking faults in 6H-SiC. Journal of Applied Physics. τόμ.111 αρ.11.

Άρθρο σε Πρακτικά Συνεδρίου

Marinova M, Andreadou Ariadni, Mantzari Alkyoni, Polychroniadis Efstathios (2012). On the twin boundary propagation in (111) 3C-SiC layers. 14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials. Cleveland, Ohio. τόμ.717-720 σ.419-422.

(2011)

Άρθρο σε Πρακτικά Συνεδρίου

Galben-Sandulache I. G, Marinova M, Mantzari Alkyoni, Sun G. L, Andreadou Ariadni, Chaussende D, Polychroniadis Efstathios (2011). Quality investigation of 3C-SiC crystals grown by CF-PVT technique. Materials Science Forum : Silicon Carbide and Related Materials 2010. Oslo, Norway. τόμ.679-680 σ. 20-23.
Marinova M, Mantzari Alkyoni, Sun J. W, Lorenzzi J, Andreadou Ariadni, Zoulis G, Juillaguet S, Ferro G, Camassel J, Polychroniadis Efstathios (2011). Structural and optical investigation of VLS grown (111) 3C-SiC layers on 6H-SiC substrates in Sn-based melts. 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials. Oslo, Norway. τόμ.679-680 σ.165-168.
Marinova M, Andreadou Ariadni, Sun J. W, Lorenzzi J, Mantzari Alkyoni, Zoulis G, Jegenyes N, Juillaguet S, Soulière V, Ferro G, Camassel J, Polychroniadis Efstathios (2011). Influence of post-growth annealing on the defects nature and distribution in VLS grown (111) 3C-SiC layers. 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials. Oslo, Norway. τόμ.679-680 σ.241-244.
Stanciu S. G, Coltuc D, Stanciu G. A, Andreadou Ariadni, Mantzari Alkyoni, Polychroniadis Efstathios (2011). Automatic estimation of stacking fault density in SiC specimens imaged by transmission electron microscopy. 13th International Conference on Transparent Optical Networks. Stockholm, Sweden.

(2010)

Άρθρο σε Περιοδικό

Vasiliauskas R, Marinova M, Syväjärvi M, Mantzari Alkyoni, Andreadou Ariadni, Polychroniadis Efstathios, Yakimova R (2010). Sublimation epitaxy of cubic silicon carbide in vacuum. Journal of Physics: Conference Series. τόμ.223 αρ.1.

Άρθρο σε Πρακτικά Συνεδρίου

Andreadou Ariadni, Marinova M, Mantzari Alkyoni, Bensely A, Lorenzzi J, Ferro G, Polychroniadis Efstathios (2010). TEM investigation of the influence of the Ga-doping on the structure of 3C-SiC layers grown on 6H-SiC substrate by VLS mechanism. AIP Conference Proceedings. τόμ.1292 σ.59-62.
Jegenyes N, Marinova M, Zoulis G, Lorenzzi J, Andreadou Ariadni, Mantzari Alkyoni, Soulière V, Juillaguet S, Camassel J, Polychroniadis Efstathios, Ferro G (2010). Influence of the C/Si ratio on the dopant concentration and defects in CVD grown 3C-SiC homoepitaxial layers. AIP Conference Proceedings. τόμ.1292 σ.31-34.
Mantzari Alkyoni, Marinova M, Andreadou Ariadni, Mercier F, Galben-Sandulache I. G, Frangis Nikolaos, Chaussende D, Polychroniadis Efstathios (2010). On the microstructure and the polytype transformation in 3C-SiC crystals grown by LPE on (001) substrates at different growth conditions. AIP Conference Proceedings. (eds) Gabriel Ferro and Paul Siffert. Strasbourg, France. τόμ.1292 σ.79-82.
Marinova M, Zoulis G, Robert T, Mercier F, Mantzari Alkyoni, Galben I, Kim-Hak O, Lorenzzi J, Juillaguet S, Chaussende D, Ferro G, Camassel J, Polychroniadis Efstathios (2010). TEM and LTPL investigations of 3C-SiC layers grown by LPE on (100) and (111) 3C-SiC seeds. 13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009. Nurnberg, Germany. τόμ.645-6648 σ.383-386.
Marinova M, Mantzari Alkyoni, Polychroniadis Efstathios (2010). Some recent results on the 3C-SiC structural defects. 2nd International Conference on Nanostructured Materials, Thin Films and Hard Coatings for Advanced Applications. Sozopol. τόμ.159 σ.39-48.
Marinova M, Mantzari Alkyoni, Beshkova M, Syväjäuvi M, Yakimo R, Polychroniadis Efstathios (2010). The influence of the temperature gradient on the defect structure of 3C-SiC grown heteroepitaxially on 6H-SiC by sublimation epitaxy. 13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials. Nurnberg, Germany. τόμ.645-6648 σ.367-370.
Marinova M, Mantzari Alkyoni, Beshkova M, Syväjärvi M, Yakimova R, Polychroniadis Efstathios (2010). TEM investigation of the 3C/6H-SiC transformation interface in layers grown by Sublimation Epitaxy. 21st Conference on Applied Crystallography. Zakopane, Poland. τόμ.163 σ.97-100.
Marinova M, Jegenyés N, Andreadou Ariadni, Mantzari Alkyoni, Lorenzzi J, Ferro G, Polychroniadis Efstathios (2010). Defects in (111) 3C-SiC layers grown at different temperatures by VLS and CVD on 6H-SiC substrates. AIP Conference Proceedings. τόμ.1292 σ.95-98.
Vasiliauskas R, Marinova M, Syväjärvi M, Mantzari Alkyoni, Andreadou Ariadni, Lorenzzi J, Ferro G, Polychroniadis Efstathios, Yakimova R (2010). Sublimation growth and structural characterization of 3C-SiC on hexagonal and cubic SiC seeds. 13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009. Nurnberg, Germany. τόμ.645-6648 σ.175-178.

(2009)

Άρθρο σε Περιοδικό

Marinova M, Zoulis G, Robert T, Mercier F, Mantzari Alkyoni, Galben I, Kim-Hak O, Lorenzzi J, Juillaguet S, Chaussende D, Ferro G, Camassel J, Polychroniadis Efstathios (2009). Defect-induced polytype transformations in LPE grown SiC epilayers on (1 1 1) 3C-SiC seeds grown by VLS on 6H-SiC. Physica B: Condensed Matter. τόμ.404 αρ.23-24 σ.4727-4730.
Marinova M, Mercier F, Mantzari Alkyoni, Galben I, Chaussende D, Polychroniadis Efstathios (2009). A TEM study of in-grown stacking faults in 3C-SiC layers grown by CF-PVT on 4H-SiC substrates. Physica B: Condensed Matter. τόμ.404 αρ.23-24 σ.4749-4751.

Άρθρο σε Πρακτικά Συνεδρίου

Mantzari Alkyoni, Mercier F, Soueidan M, Chaussende D, Ferro G, Polychroniadis Efstathios (2009). Structural characterization of CF-PVT grown bulk 3C-SiC. 12th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials. τόμ.600-603 σ.67-70.
Mantzari Alkyoni, Lioutas Christos, Polychroniadis Efstathios (2009). A TEM study of inversion domain boundaries annihilation mechanism in 3C-SiC during growth. Materials Science Forum. Barcelona, Spain. τόμ.615-617 σ.331-334.
Marinova M, Beshkova M, Mantzari Alkyoni, Syvajarvi M, Yakimova R, Polychroniadis Efstathios (2009). TEM study of 3C-SiC layers grown by sublimation epitaxy on 6H-SiC substrates. Proceedings of the International workshop on 3C-SiC hetero-epitaxy (Hetero SiC 09). Catania, Italy. σ.19-20.

(2008)

Άρθρο σε Περιοδικό

Chaussende D, Mercier F, Boulle A, Conchon F, Soueidan M, Ferro G, Mantzari Alkyoni, Andreadou Ariadni, Polychroniadis Efstathios, Balloud C, Juillaguet S, Camassel J, Pons M (2008). Prospects for 3C-SiC bulk crystal growth. Journal of Crystal Growth. τόμ.310 αρ.5 σ.976-981.

(2006)

Άρθρο σε Περιοδικό

Eid J, Santailler J. L, Ferrand B, Ferret P, Pesenti J, Basset A, Passero A, Mantzari Alkyoni, Polychroniadis Efstathios, Balloud C, Soares P, Camassel J (2006). Growth of cubic silicon carbide crystals from solution. Materials Science Forum. τόμ.527-529 σ.123-126.

Άρθρο σε Πρακτικά Συνεδρίου

Mantzari Alkyoni, Lioutas Christos, Polychroniadis Efstathios, Schoner A (2006). On the reduction of structural defects in 3C-SiC during growth. Proceedings of the 16th International Microscopy Congress. Sapporo, Japan. σ.1470.

(2005)

Άρθρο σε Περιοδικό

Mantzari Alkyoni, Polychroniadis Efstathios, Wollweber J, Freudenberg A, Balloud C, Camassel J (2005). Defect status near the SiC/substrate interface: Investigation of the first stage of the growth by physical vapour transport. Journal of Crystal Growth. τόμ.275 αρ.1-2 σ.e1813-e1819.

Άρθρο σε Πρακτικά Συνεδρίου

Polychroniadis Efstathios, Mantzari Alkyoni, Freudenberg A, Wollweber J, Nitschke R, Frank T, Pensl G, Schöner A (2005). PVT-growth and characterization of single crystalline 3C-SiC on a (0001) 6H-SiC substrate. 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials. Istanbul, Turkey. τόμ.483-485 σ.319-322.

(2004)

Άρθρο σε Πρακτικά Συνεδρίου

Wollweber J, Mantzari Alkyoni, Polychroniadis Efstathios, Balloud C, Freudenberg A, Nitschke R, Camassel J (2004). Stable parameter range for 3C-SiC sublimation growth on graphite. 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials. τόμ.457-460 σ.143-146.

(2002)

Άρθρο σε Περιοδικό

Angelakeris Mavroeidis, Poulopoulos P, Vouroutzis Nikolaos, Mantzari Alkyoni, Karambeti K, Kalaitzidis Vasileios, Valasiadis Odyssefs, Flevaris Nikolaos (2002). Influence of Pt-doping on structural, magnetic and magneto transport properties of granular Ag-Co multilayers. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. τόμ.240 αρ.1-3 σ.488-490.

Ενημερώθηκε: 2023-03-26